时间：2025/5/10 9:32:54
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BSC520N15NS3 G 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于 OptiMOS 系列。该器件采用先进的技术设计，具有低导通电阻和高效率的特点，适合用于各种开关电源、电机驱动以及 DC-DC 转换器等应用中。
该芯片的封装形式为 TO-263-3（D2PAK），具备良好的散热性能，同时能够承受较高的电压和电流负载。
最大漏源电压：150V
连续漏极电流：52A
导通电阻（典型值）：4.4mΩ
栅极电荷：79nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
BSC520N15NS3 G 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高雪崩能力，增强了器件在异常条件下的耐用性。
3. 内置 ESD 保护功能，提升了器件的可靠性。
4. 快速开关性能，适合高频应用。
5. 符合 RoHS 标准，环保无铅。
6. 封装结构牢固，适合表面贴装和通孔安装工艺。
这款 MOSFET 广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）。
2. 工业电机控制和驱动。
3. 电池管理系统（BMS）。
4. DC-DC 转换器。
5. 太阳能逆变器中的功率转换。
6. 电动车辆的辅助系统和车载充电器。
BSC058N10NS3 G, IRF840, STP55NF06
